Dziś jest czwartek, 9 kwiecień 2020 r.
Energoelektronika.pl na stronach Facebook REKLAMA MAPA SERWISU KONTAKT
Strona główna Załóż konto Artykuły branżowe Katalog firm Seminaria FAQ Kalendarium Słownik Oferta
Wyszukaj
1USD 4.1801 +0.2% 1EUR 4.5362 +0.04% 1GBP 5.1434 -0.01%
Zaloguj się
Login (adres e-mail):
Haslo:
  Rejestracja
  Zapomniałem hasła
Reklama

Reklama

Aktualności
72 edycja Seminarium dla Służb Utrzymania Ruchu - Kielce - Relacja
więcej
Targi AUTOMATICON odwołane!
więcej
32 edycja targów Energetab 2019 juz za cztery tygodnie
więcej
IIX edycja Targów Energetycznych ENERGETICS już w listopadzie!
więcej

Zobacz archiwum

Kalendarium
21 kwiecień 2020
Targi Expopower 
więcej
23 kwiecień 2020
Seminarium EX - edycja XIV 
więcej
Newsletter
Jeżeli chcesz otrzymywać aktualne informacje o wydarzeniach w branży.
Podaj e-mail do subskrypcji:


Aktualności

Wysokonapięciowe tranzystory SuperFET o dużej szybkości przełączania

1 lipiec 2005.

Fairchild Semiconductor wprowadza do oferty osiem nowych tranzystorów SuperFET przeznaczonych do zasilaczy AC-DC, systemów oświetleniowych, obwodów korekcji PFC i innych aplikacji wysokonapięciowych wymagających szybkiego przełączania. Technologia SuperFET zwiększa sprawność w szybkich obwodach impulsowych dzięki obniżonej rezystancji RDS(on) i obniżonemu ładunkowi bramki (Qg). Umożliwia zarówno szybkie przełączanie napięć (dv/dt), jak i prądów (di/dt). Maksymalne napięcie bramka-?r?d?o wynosi ?30V i jest wyższe o 50% od podobnych tranzystorów innych producentów.

W typowych tranzystorach MOSFET większe napięcie przebicia oznacza wykładniczy wzrost RDS(on), co z kolei prowadzi do zwiększania powierzchni struktury. Cech?ącharakterystyczną tranzystorów SuperFET jest to, że zmiana RDS(on) nie jest wykładnicza, lecz liniowa. Przekłada si?ęto na mniejszą rezystancję RDS(on) w odniesieniu do konkretnej powierzchni struktury półprzewodnikowej, jednocześnie przy dużym napięciu przebicia wynoszącym 600V. Duża niezawodność, typowa dla technologii SuperFET otwiera szerokie pole zastosować w aplikacjach oświetleniowych HID i zasilaczach telewizorów z ekranem plazmowym.

Nowe tranzystory SuperFET są wytwarzane w obudowach TO-220, TO-263, TO-247 i TO-3P.

O nas  ::  Regulamin  ::  Polityka prywatności (Cookies)  ::  Reklama  ::  Mapa stron  ::  FAQ  ::  Kontakt
Ciekawe linki: www.klimatyzacja.pl  |  www.strony.energoelektronika.pl  |  promienniki podczerwieni
Copyright © Energoelektronika.pl