Dziś jest czwartek, 24 październik 2019 r.
Energoelektronika.pl na stronach Facebook REKLAMA MAPA SERWISU KONTAKT
Strona główna Załóż konto Artykuły branżowe Katalog firm Seminaria FAQ Kalendarium Słownik Oferta
Wyszukaj
1USD 3.8473 +0.17% 1EUR 4.2778 -0.03% 1GBP 4.9449 -0.51%
Zaloguj się
Login (adres e-mail):
Haslo:
  Rejestracja
  Zapomniałem hasła
Reklama

Reklama

Aktualności
Siemensa buduje fabrykę dla Przemysłu 4.0 w Polsce
więcej
Przyszłość sektora motoryzacji w Polsce ? raport Banku Pekao S.A.
więcej
32 edycja targów Energetab 2019 juz za cztery tygodnie
więcej
Przed nami 32. edycja targów ENERGETAB 2019
więcej

Zobacz archiwum

Kalendarium
29 październik 2019
73. edycja Seminarium dla Służb Utrzymania Ruchu  
więcej
13 listopad 2019
Warsaw Industry Week 2019 
więcej
Newsletter
Jeżeli chcesz otrzymywać aktualne informacje o wydarzeniach w branży.
Podaj e-mail do subskrypcji:


Aktualności

Wysokonapięciowe tranzystory SuperFET o dużej szybkości przełączania

1 lipiec 2005.

Fairchild Semiconductor wprowadza do oferty osiem nowych tranzystorów SuperFET przeznaczonych do zasilaczy AC-DC, systemów oświetleniowych, obwodów korekcji PFC i innych aplikacji wysokonapięciowych wymagających szybkiego przełączania. Technologia SuperFET zwiększa sprawność w szybkich obwodach impulsowych dzięki obniżonej rezystancji RDS(on) i obniżonemu ładunkowi bramki (Qg). Umożliwia zarówno szybkie przełączanie napięć (dv/dt), jak i prądów (di/dt). Maksymalne napięcie bramka-?r?d?o wynosi ?30V i jest wyższe o 50% od podobnych tranzystorów innych producentów.

W typowych tranzystorach MOSFET większe napięcie przebicia oznacza wykładniczy wzrost RDS(on), co z kolei prowadzi do zwiększania powierzchni struktury. Cech?ącharakterystyczną tranzystorów SuperFET jest to, że zmiana RDS(on) nie jest wykładnicza, lecz liniowa. Przekłada si?ęto na mniejszą rezystancję RDS(on) w odniesieniu do konkretnej powierzchni struktury półprzewodnikowej, jednocześnie przy dużym napięciu przebicia wynoszącym 600V. Duża niezawodność, typowa dla technologii SuperFET otwiera szerokie pole zastosować w aplikacjach oświetleniowych HID i zasilaczach telewizorów z ekranem plazmowym.

Nowe tranzystory SuperFET są wytwarzane w obudowach TO-220, TO-263, TO-247 i TO-3P.

O nas  ::  Regulamin  ::  Polityka prywatności (Cookies)  ::  Reklama  ::  Mapa stron  ::  FAQ  ::  Kontakt
Ciekawe linki: www.klimatyzacja.pl  |  www.strony.energoelektronika.pl  |  promienniki podczerwieni
Copyright © Energoelektronika.pl