Dziś jest sobota, 19 październik 2019 r.
Energoelektronika.pl na stronach Facebook REKLAMA MAPA SERWISU KONTAKT
Strona główna Załóż konto Artykuły branżowe Katalog firm Seminaria FAQ Kalendarium Słownik Oferta
Wyszukaj
1USD 3.8503 -0.35% 1EUR 4.2844 -0.01% 1GBP 4.9671 +0.43%
Zaloguj się
Login (adres e-mail):
Haslo:
  Rejestracja
  Zapomniałem hasła
Reklama

Reklama

Aktualności
Przyszłość sektora motoryzacji w Polsce ? raport Banku Pekao S.A.
więcej
Przed nami 32. edycja targów ENERGETAB 2019
więcej
Cykl szkoleń z zakresu programowania sterowników SIMATIC S7-300, S7-1200
więcej
32 edycja targów Energetab 2019 juz za cztery tygodnie
więcej

Zobacz archiwum

Kalendarium
23 październik 2019
LUMENexpo Targi Techniki Świetlnej  
więcej
29 październik 2019
73. edycja Seminarium dla Służb Utrzymania Ruchu  
więcej
Newsletter
Jeżeli chcesz otrzymywać aktualne informacje o wydarzeniach w branży.
Podaj e-mail do subskrypcji:


Aktualności

Power Integrations iFlex - rodzina sterowników do wysokonapięciowych tranzystorów IGBT/MOSFET SiC

4 marzec 2019.

Firma DACPOL wprowadza do sprzedaży rodzinę gotowych do użytku driverów bramkowych o zaawansowanych funkcjach zabezpieczających przeznaczonych do pracy z modułami IGBT/MOSFET SiC o napięciach blokowania od 1700V do 3300V.

Sterownik iFlex składa się z odizolowanej elektrycznie jednostki centralnej oraz płytek adaptacyjnych montowanych przy modułach tranzystorowych. Płytki łączy się z jednostką centralną za pomocą przewodów o odpowiedniej długości. Sterownik zaprojektowano do pracy z modułami o napięciach blokowania do 3300V, zaś płytki adaptacyjne dostępne są w wariantach dopasowanych do szerokiego spektrum modułów mocy różnych producentów o klasach napięciowych od 1700V do 3300V.

Rozwiązanie iFlex umożliwia łączenie równoległe maksymalnie 4 modułów1. Wbudowany czujnik temperatury NTC oraz pomiar napięcia na DC-linku pozwala uprościć konstrukcję projektowanego urządzenia.

Główne cechy:

- Gotowe rozwiązanie do sterowania modułów o napięciu blokowania od 1700V do 3300V
- Wsparcie dla modułów IGBT, hybrydowych (krzemowych IGBT z diodą SiC) oraz MOSFET SiC
- Dwukanałowy sterownik bramkowy
- Wzmocniona izolacja elektryczna strony pierwotnej 
- Zoptymalizowane do pracy równoległej maksymalnie 4 modułów*
- Szeroki zakres napięć zasilania (+15 do +48V)
- Zakres temperatury otoczenia podczas pracy od -40°C do +85°C

Funkcje zabezpieczające:

- Blokada podnapięciowa po stronie pierwotnej i wtórnej
- Zabezpieczenie przeciwzwarciowe
- Pomiar temperatury NTC z izolowanym, cyfrowym sygnałem wyjściowym (kodowanie PWM)
- Pomiar napięcia DC-Link z izolowanym, cyfrowym sygnałem wyjściowym (kodowanie PWM)
- Dwustronne zabezpieczenie powłoką izolacyjną

* - W przypadku potrzeby połączenia równoległego więcej niż 4 modułów, prosimy o kontakt z firmą Dacpol.



O nas  ::  Regulamin  ::  Polityka prywatności (Cookies)  ::  Reklama  ::  Mapa stron  ::  FAQ  ::  Kontakt
Ciekawe linki: www.klimatyzacja.pl  |  www.strony.energoelektronika.pl  |  promienniki podczerwieni
Copyright © Energoelektronika.pl